[7p-C11-1~21] 17.3 層状物質

△ [7p-C11-19] WSe₂/SnS₂ヘテロ構造におけるバンド間トンネル

〇何 俊陽¹、方 楠¹、中村 圭吾¹、上野 啓司²、長汐 晃輔^1,3 (1.東大、2.埼玉大、3.JST-さきがけ)

キーワード：二次元材料、トンネル電界効果トランジスタ

低電圧駆動による低消費電力化を目指して，SSが60mV/dec以下に低減可能なバンド間トンネル電界効果トランジスタ（T-FET）の研究が盛んに行われている．2次元層状ヘテロ構造においては，トンネル障壁厚さを極限まで低減し，TFETの欠点である低いトンネル電流の向上を達成できる可能性がある．本研究ではp-WSe₂/n-SnS₂ TFETにおいて，デュアルゲート構造による独立したゲート制御によるp⁺/n形成，およびWSe₂のオゾン酸化によるp⁺-WSe₂のTFETへの適応を試みた．