[7p-C11-1~21] 17.3 層状物質

[7p-C11-20] 積層SAM/HfO_x ゲート絶縁膜を用いたMoS₂ FET の作製

〇(B)大場 智昭¹、居駒 遼¹、川那子 高暢¹ (1.東工大工)

キーワード：層状半導体、MoS2