[7p-C16-1~18] 17.2 グラフェン

[7p-C16-16] 3C-SiC(111) 上に成長したグラフェンのラマン散乱分光による歪み評価

〇関根 佳明¹、熊倉 一英¹、日比野 浩樹^1,2 (1.NTT物性基礎研、2.関西学院大理工)

キーワード：グラフェン、SiC、結晶多形

3C-SiC 上グラフェンは、高い単層被覆率の試料作製が容易で、他の多形SiC基板よりデバイス応用に適しているが、歪みなどの基礎物性の報告は多くない。今回、3C-SiC上グラフェンの歪みをラマン散乱分光により評価した。3C-SiC上のグラフェンの圧縮歪みは、4H-SiC上よりも緩和しており、この圧縮歪みの緩和は、4C-SiC 上の3C-SiC の圧縮歪みの部分緩和と、定量的に一致した。本結果は、今後のデバイス設計での指針となる。