[7p-C16-1~18] 17.2 グラフェン

[7p-C16-17] 酸素アニールがグラフェンCVD核発生に与える影響のin-situ観察

〇平良 隆信¹、小幡 誠司²、斉木 幸一朗^1,2 (1.東大院理、2.東大新領域)

キーワード：グラフェン、化学気相成長法、酸素アニール

大面積の単結晶グラフェンの作製を目的とした、Cu基板上のCVDではグラフェン核密度の低減が必要であり、酸素アニールはそのための効果的な前処理手法であると報告されている。本研究では、グラフェン成長に加えて酸素アニール過程を熱放射光学顕微法でin-situ観察し、核発生に与える影響を評価した。結果、熱放射像において酸素アニール中に輝点が大量に発生し、一部の輝点からの核発生が観察された。これらの相関について議論する。