[7p-C17-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[7p-C17-12] EFG成長したβ-Ga₂O₃結晶中の欠陥評価(2) - 板状のナノボイドおよび双晶 -

〇上田 修¹、池永 訓昭¹、森林 朋也²、輿 公祥³、飯塚 和幸³、倉又 朗人³、嘉数 誠² (1.金沢工大、2.佐賀大院工、3.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、ボイド、双晶

EFG法により成長したβ-Ga₂O₃結晶中の板状のナノボイドおよび双晶をエッチング、SEM、およびTEMにより評価した結果について報告する。まず、(010)面上に形成されたエッチピットの中心部にSEMで深い溝が観察された。その溝は、TEMにより板状のナノボイドであることを明らかにした。また、双晶に関しては、TEMにより、双晶境界が(100)面で、リボン状の双晶ラメラも形成されていることを明らかにした。これらの結果に基づいて、欠陥の形成機構について議論する。