The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

21 Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[7p-C17-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Sep 7, 2017 1:45 PM - 6:00 PM C17 (Training Room 2)

Takayoshi Oshima(Saga Univ.), Tomoki Abe(Tottori Univ.)

5:00 PM - 5:15 PM

△ [7p-C17-13] Synchrotron X-Ray Topography Observation of Defects in EFG-Grown β-Ga2O3 Single Crystal

〇Satoshi Masuya1, Kimiyoshi Koshi2, Kazuyuki Iizuka2, Akito Kuramata2, Osamu Ueda3, Makoto Kasu1 (1.Saga Univ., 2.Novel Crystal Co., 3.Kanazawa Inst. Tech.)

Keywords:Ga2O3, X-ray topography

シンクロトロン光を用いてEFG成長したβ-Ga2O3 単結晶のX線トポグラフィー観察を行った．成長したバルク結晶を(001), (010), (-201)面に切り出し，それぞれの面方位結晶を観察した．主に，[010]方向に沿った転位や転位列を観察し，コントラストの消滅実験からバーガーズベクトルを<010>と同定した．