2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[7p-C17-1~16] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2017年9月7日(木) 13:45 〜 18:00 C17 (研修室2)

大島 孝仁(佐賀大)、阿部 友紀(鳥取大)

16:45 〜 17:00

[7p-C17-12] EFG成長したβ-Ga2O3結晶中の欠陥評価(2) - 板状のナノボイドおよび双晶 -

上田 修1、池永 訓昭1、森林 朋也2、輿 公祥3、飯塚 和幸3、倉又 朗人3、嘉数 誠2 (1.金沢工大、2.佐賀大院工、3.タムラ製作所)

キーワード:酸化ガリウム、ボイド、双晶

EFG法により成長したβ-Ga2O3結晶中の板状のナノボイドおよび双晶をエッチング、SEM、およびTEMにより評価した結果について報告する。まず、(010)面上に形成されたエッチピットの中心部にSEMで深い溝が観察された。その溝は、TEMにより板状のナノボイドであることを明らかにした。また、双晶に関しては、TEMにより、双晶境界が(100)面で、リボン状の双晶ラメラも形成されていることを明らかにした。これらの結果に基づいて、欠陥の形成機構について議論する。