[7p-C17-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[7p-C17-2] デバイス化に向けた低表面ラフネスα-Ga₂O₃薄膜の作製

〇内田 貴之¹、神野 莉衣奈¹、竹本 柊¹、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工)

キーワード：酸化ガリウム、パワーデバイス、ミストCVD法