[7p-C18-1~11] Film Formation and Low Temperature of IV Element Semiconductor

[7p-C18-11] Closing Remark: Low-Temperature Solid-Phase Crystallization of
Group-Ⅳ Semiconductor Thin Film

〇Naoto Matsuo¹ (1.University of Hyogo)

Keywords:low-temperature solid-phase crystallization

薄膜結晶化法の支配因子は成長温度，成長膜と基板との界面状態，雰囲気，が挙げられ，結晶化した薄膜特性因子として，粒径，格子欠陥密度，膜剥がれ頻度，が挙げられる。固相に絞ると位置制御性も重要支配因子になる。結晶化法と結晶化薄膜を有機的に繋げる根底にあるものが結晶化ダイナミクスである。CVD-Si薄膜結晶化法^1,2)は成長温度，基板界面，雰囲気が重要因子，位置制御SPC³⁾，金属ナノ触媒⁴⁾，金属触媒⁵⁾を用いた結晶化は成長温度，位置制御性，が重要因子と考えられる。結晶核形成の動力学と位置制御⁶⁾，安定相と準安定相の競合⁷⁾，は結晶化機構の議論である。