[7p-C18-1~11] ＩＶ族系半導体の製膜と低温結晶化（固相結晶化を中心に）

[7p-C18-3] 多結晶シリコン薄膜形成における結晶核形成の動力学的過程と位置制御

〇雲見 日出也¹ (1.東工大 元素戦略研)

キーワード：多結晶シリコン薄膜トランジスタ、位置制御、結晶核形成

かつて、多結晶シリコン(Si)薄膜で単結晶Siトランジスタに匹敵する特性の多結晶Si薄膜トランジスタ(TFT)を実現するために、結晶核形成の位置を制御し、無粒界の単一結晶粒TFTを形成する方法が実証された。その研究過程で、結晶核形成の動力学的過程の基礎的課題に関する様々な知見が得られた。本講演はその両者について総括する。