2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » IV族系半導体の製膜と低温結晶化(固相結晶化を中心に)

[7p-C18-1~11] IV族系半導体の製膜と低温結晶化(固相結晶化を中心に)

2017年9月7日(木) 13:30 〜 18:30 C18 (C18)

野口 隆(琉球大)、松尾 直人(兵庫県立大)、東 清一郎(広島大)

17:15 〜 17:45

[7p-C18-9] 金属ナノ触媒を利用した非晶質シリコン薄膜の結晶化とデバイス応用

浦岡 行治1、熊谷 慎也2、山下 一郎1 (1.奈良先端大、2.豊田工大)

キーワード:多結晶シリコン薄膜、金属触媒、低温結晶化

高性能な薄膜素子の実現にむけて、低温形成可能な高品質の多結晶シリコン薄膜は非常に重要である。ここでは、ナノスケールの金属触媒を使って、シリコン多結晶の形成を試みた。この金属触媒には、フェリチンと呼ばれるかご状タンパクのコアである鉄酸化物を酸化ニッケルに入れ替えたナノ粒子を用いた。このナノ粒子を非晶質シリコンの上に吸着し、低温アニールすることで、不純物密度の低い、高品質な多結晶薄膜が得られた。