[7p-C19-1~10] マルチスケールプロセスへの挑戦～ドライかウェットかそれとも…～

[7p-C19-3] 10 nmノード以降対応のアトミックレイヤーエッチング

〇野尻 一男¹ (1.ラムリサーチ（株）)

キーワード：アトミックレイヤーエッチング、ALE、異方性エッチング

ロジックデバイスではFinFETが既に実用化されているが，要求される寸法は10 nmを切っており，原子数にすると数10原子のレベルである。また，寸法ばらつきの許容値は数原子レベルとなり，原子スケールのプロセス精度が要求される。このような背景の下，Atomic Layer Etching (ALE) が盛んに研究されている。本講演ではALEの原理から応用まで，我々のグループで行なっている研究内容を纏めて報告する。