[7p-C23-1~22] 6.4 薄膜新材料

[7p-C23-2] ALDで形成した薄膜InOx高移動度TFT

〇木津 たきお¹、相川 慎也^1,2、池田 幸弘³、上野 啓司³、生田目 俊秀¹、塚越 一仁¹ (1.物材機構、2.工学院大、3.埼玉大院理工)

キーワード：半導体、原子層堆積法、酸化インジウム

酸化インジウム系材料は，膜中の酸素欠陥を調整することで，アモルファス薄膜トランジスタ（TFT）を作製出来る．今回の報告では，原子層レベルでの高い制御性と多様な成膜パラメータによる緻密な調整ができる原子層堆積法（ALD）を用いて，高い移動度のALD-InOx半導体を作製した．発表では，ALD成長温度と膜導電性及びアニール後のTFT特性との相関について議論したい．