[7p-C23-1~22] 6.4 Thin films and New materials

[7p-C23-22] Thin Film Growth of Cu₃PdN by Pulsed Laser Deposition.

〇Koki Kanazawa¹, Ryo Miyamoto¹, Takahiro Urata¹, Takafumi Hatano¹, Kazumasa Iida¹, Hiroshi Ikuta¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:Cu3PdN, PLD

近年、凝縮物質のバンドトポロジーが注目を集めている。Cu₃PdNはディラック半金属であることが理論的に予測されている。さらに、C₄結晶対称性を破るとトポロジカル絶縁体となることが予測されている。しかし、Cu₃PdNナノ粒子の作製は報告されているが、詳細な電子物性の測定は報告されていない。そこで、我々はパルスレーザー堆積(PLD)法を用いて、Cu₃PdN薄膜の作製に取り組み、その物性を測定した。