[7p-C23-1~22] 6.4 薄膜新材料

[7p-C23-3] 急峻なサブスレッショルドスロープを持つALD-AlO_xゲート絶縁膜アモルファスInSiO TFT

〇相川 慎也^1,2、木津 たきお²、生田目 俊秀²、塚越 一仁² (1.工学院大、2.NIMS)

キーワード：アモルファス酸化物、原子層堆積、薄膜トランジスタ

急峻なサブスレッショルドスロープ（73 mV/dec）を有するアモルファスInSiO TFTについて報告する．TFTは，プラズマ支援原子層堆積によって形成された薄いAlO_x絶縁膜（t = 16 nm）を有し，比較的低温なプロセス（最高プロセス温度は400℃）で製造された．この結果は，低温プロセスでの急峻サブスレッショルドTFTの実現に有用と考える．