[7p-PA9-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[7p-PA9-2] 低温分解Sn原料Tetra (isopropyl) tinを用いたMOCVD法によるGe_1-xSn_x膜成長

〇村上 達海¹、須田 耕平¹、吉岡 和俊¹、高橋 祐樹¹、小孫 翔太¹、澤本 直美¹、町田 英明²、大下 祥雄³、小椋 厚志¹ (1.明治大理工、2.気相成長(株)、3.豊田工大)

キーワード：ゲルマニウムスズ、MOCVD