[7p-PA9-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[7p-PA9-5] 真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-3

〇(M1)対馬 和都¹、滝田 健介¹、俵 毅彦²、舘野 功太²、章 国強²、後藤 秀樹²、池田 高之³、水野 誠一郎³、岡本 浩¹ (1.弘前大理工、2.NTT物性基礎研、3.NTTアドバンステクノロジ)

キーワード：ナノドット、ゲルマニウム、ビスマス

我々はこれまでに真空蒸着と低温アニールによるBiを媒介したGeナノドットの作製手法を提案し、熱酸化膜付きSi基板上に結晶Geナノドットが形成されたことなどを報告してきた。本報告では同ナノドットの形成過程を調べるため、300℃アニール前後におけるSTEM観察とEDXマッピング評価を行い、ナノドット形成初期においてBiとGeの層交換と思われる現象が発現していることを明らかにした。