[7p-PB3-1~6] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[7p-PB3-2] 超接合構造を有するSBCDのピラー不純物密度依存性

〇對馬 広隆¹、工藤 嗣友²、菅原 文彦¹ (1.東北学院大工、2.神奈川工科大)

キーワード：自己バイアスチャネルダイオード、超接合構造、集積化

超接合構造を持つ自己バイアスチャネルダイオードの集積度の向上による低損失化を検討している。この素子では、低オン電圧を実現するためにソース及びボディ接合を浅くし、かつpピラー幅を縮小したユニット構造を採用している。上記構造でｐピラー層の不純物密度を変化させて，シミュレーションを行っている。高耐圧化には不純物密度の最適値があり, この条件では低損失化にあまり悪影響を与えないことが分かっている。