[7p-PB3-1~6] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[7p-PB3-3] Importance of scattering related one-dimensionality in transfer characteristics of silicon nanowire FET

〇Ryoma Shimizu¹, Matsuto Ogawa¹, Satofumi Souma¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:nanowire, backscattering coefficients

短チャネル効果を抑制するナノスケールFETの素子構造として、ナノワイヤ（NW）構造のようなマルチゲート構造が期待されている。これらの設計においては、様々な散乱メカニズムを考慮したシミュレーションによって性能を明らかにする必要がある。
本稿では、Lundstromによって提案された「コンパクトスキャタリング（CS）モデル」を表現するためにモンテカルロ法から求めた後方散乱係数とCSモデルに基づいた電流値を報告する。