[7p-PB3-1~6] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[7p-PB3-3] Siナノワイヤ型FETの伝達特性における散乱に起因した1次元効果の重要性

〇清水 良馬¹、小川 真人¹、相馬 聡文¹ (1.神戸大院工)

キーワード：ナノワイヤ、後方散乱係数

短チャネル効果を抑制するナノスケールFETの素子構造として、ナノワイヤ（NW）構造のようなマルチゲート構造が期待されている。これらの設計においては、様々な散乱メカニズムを考慮したシミュレーションによって性能を明らかにする必要がある。
本稿では、Lundstromによって提案された「コンパクトスキャタリング（CS）モデル」を表現するためにモンテカルロ法から求めた後方散乱係数とCSモデルに基づいた電流値を報告する。