[7p-PB3-1~6] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

△ [7p-PB3-5] Annealing dependence of active dopant concentration in the ultra-shallow region

〇Yudai Higa¹, Sakura Takeda¹, Tatsuya Ebato¹, Masatoshi Yoneda¹, Akiho Fujinaka¹, Kazuho Morita¹, Natsuki Morimoto¹, Kevin Ang², Xin Tan¹, Hiroshi Daimon¹, Kazuo Tsutsui³ (1.Nara Institute of Science and Technology, 2.Nagoya Institute of Technology, 3.Tokyo Institute of Technology)

Keywords:active dopant, subband, ion implantation

半導体極浅領域の活性ドーパント濃度の測定は，デバイスの更なる発展に不可欠である。私はサブバンドの準位間隔の測定から活性ドーパント濃度を逆算する手法を開発し，実際にイオン打ち込みが行われたサンプルに対して適用した。その結果，極浅領域に高濃度の分布を持つ活性ドーパントが確認され，熱処理に依存して，分布に変化が生じたことが明らかになった。本講演では新手法の詳細およびその妥当性について言及する。