[7p-PB3-1~6] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[7p-PB3-6] Study of charge up after single wafer wet processing

〇Masayuki Kawakami¹, Daisaku Yano¹, Koji Yamanaka¹, Hiroyuki Araki², Katsuhiko Miya³, Masanori Suzuki⁴, Nobuo Kawase⁵ (1.Organo corp., 2.SCREEN Semiconductor Solutions Co., 3.SCREEN Holdings Co., 4.Techno Ryowa Ltd., 5.JoyNTech)

Keywords:Charge up, single wafer wet processing

半導体デバイスの微細化に伴い，製造時の枚葉洗浄プロセスにおいて，超純水洗浄およびスピンドライ乾燥時に起こるウエハの帯電(チャージアップ)によるデバイスの破壊やトランジスタ性能の劣化が問題となっている．^[1] 炭酸ガス等を溶解した導電性洗浄水を用いることでチャージアップを抑制できること^[2]や，ウエハ上の絶縁膜種によってチャージアップのレベルが異なること^[3]が知られているが，その発生メカニズムについては明確となっていない．
本研究ではそのメカニズム解明のため，主に熱酸化膜についてのチャージアップ挙動に着目し，評価実験を行った．