[7p-PB3-1~6] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[7p-PB3-6] シリコン酸化膜の枚葉洗浄によるチャージアップ挙動

〇川上 雅之¹、矢野 大作¹、山中 弘次¹、荒木 浩之²、宮 勝彦³、鈴木 政典⁴、川瀬 信雄⁵ (1.オルガノ、2.SCREENセミコンダクターソリューションズ、3.SCREENホールディングス、4.テクノ菱和、5.ジョイNテック)

キーワード：チャージアップ、枚葉洗浄

半導体デバイスの微細化に伴い，製造時の枚葉洗浄プロセスにおいて，超純水洗浄およびスピンドライ乾燥時に起こるウエハの帯電(チャージアップ)によるデバイスの破壊やトランジスタ性能の劣化が問題となっている．^[1] 炭酸ガス等を溶解した導電性洗浄水を用いることでチャージアップを抑制できること^[2]や，ウエハ上の絶縁膜種によってチャージアップのレベルが異なること^[3]が知られているが，その発生メカニズムについては明確となっていない．
本研究ではそのメカニズム解明のため，主に熱酸化膜についてのチャージアップ挙動に着目し，評価実験を行った．