[7p-PB4-1~12] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[7p-PB4-4] Influence of the tunnel effect on
anisotropic electrical conduction characteristics of black phosphorus FET

〇Yuya Sotoda¹, Matsuto Ogawa¹, Satohumi Souma¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:semiconductor, Black Phosphorus, Tunnel Effect

本研究の対象としている黒リン(Black Phosphorus)はバンドギャップを有する元素半導体であり、グラフェンに代わる半導体材料として注目されている。黒リンはバンド構造の異方性から黒リンFETにおいて電流方向依存性が懸念される。さらにFETにおけるトンネル電流にも方向依存性の考慮が必要となると考えられる。本研究では、黒リンFETにおける電流の方向依存性、特にトンネル電流が方向依存性に与える影響を明らかにすることを目的とする。