[7p-PB5-1~4] 13.7 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[7p-PB5-2] 配列GaNナノコラムによるGaN/AlGaN２次元電子系への周期ポテンシャル変調

〇宮地 晴子¹、音 賢一¹、中岡 俊裕²、石沢 峻介²、岸野 克巳² (1.千葉大院理、2.上智大理工)

キーワード：ナノコラム

GaNナノコラムを二次元電子系（２DEG）の上に成長し、その２DEGの量子伝導を測定することで、周期的配列したナノコラムの電子状態に関する情報を得ることを目的としている。GaN/AlGaNヘテロ接合２DEGにGaNナノコラムを成長した試料に対して交流４端子法を用いて磁気抵抗を測定した。整合性磁気抵抗振動やシュブニコフ・ドハース振動（SdH振動）が観測され、２DEGがナノコラムのつくる周期ポテンシャルの影響を受けていることがわかった。また条件によってはナノコラム直下部分にもSdH振動を生じる電子が存在している可能性が考えられる。