[7p-PB6-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[7p-PB6-5] 赤燐高ドープCZ-Si結晶におけるSi-P析出物の構造解析

〇仙田 剛士¹、石川 高志¹、藤森 洋行¹、松村 尚¹、成松 真吾¹、安部 吉亮¹、堀川 智之¹ (1.グローバルウェーハズ・ジャパン)

キーワード：シリコン

先端低耐圧パワーMOSデバイスに用いられる、赤燐高ドープCZ-Si結晶の欠陥を解析した。結晶の燐(P)濃度は8e19 atoms/ccとした。本結晶に対して、TEMで欠陥の観察をおこなった。この結果、板状欠陥が約6e10/ccの密度で観察された。EDX分析の結果、最大4 atomic％のPが含有されていた。観察された欠陥(Si-P析出物)は、結晶引き上げ冷却過程において形成されたものと推定される。