[7p-PB7-1~56] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

△ [7p-PB7-22] AlドープZnOナノ微粒子への磁性元素ドープ効果

〇井手 太星¹、兵藤 公美典¹、藤原 康暉¹、相原 大輝²、大嶋 晃人²、神田 康平²、橋本 達哉²、一柳 優子^1,2 (1.横国大院工、2.横国大理工)

キーワード：希薄磁性半導体、ナノ微粒子、X線吸収微細構造

ZnOにAl及び遷移金属をドープすることで磁気特性、電気特性共に優れた希薄磁性半導体の作製を目指し、さらには強磁性発現メカニズム解明を試みた。E_gを算出した結果、酸素欠損の増加が示唆され、また磁化測定の結果、Al, Co共ドープZnO試料の最大磁化が大きく上昇することが観察された。Co K吸収端のXANES領域のシミュレーションから、強磁性発現の起源が酸素欠損に由来する磁気ポーラロンによるものであると結論付けた。