[7p-PB7-1~56] 10 Spintronics and Magnetics（Poster）

[7p-PB7-54] Quantum anomalous hall effect calculation in mgnetically-doped AlSb/InAs/GaSb/AlSb heterojunction

〇Takaito Ayabe¹, Shigeru Kaku¹, Junji Yoshino¹ (1.Tokyotech)

Keywords:quantum anomalous hall effect, topological insulator

磁性原子をドープすることで、外部磁場が不必要である量子異常ホール効果(QAHE)に注目が集まっている。HgTeやHgTe/CdTeそしてInAs/GaSbの量子井戸構造におけるQAHEの発現が理論的に予想されたが、上手く磁性を発現しない、外部磁場が必要となる等の問題があり、作製困難であった。ところがInAs/GaSbの量子井戸構造にMnをドープすることで実現するQAHEは作製可能で、かつキュリー温度が30Kと高い。したがって本研究ではこの試料に着目し、電子構造計算を行った。