[7p-S21-1~22] 13.10 化合物太陽電池

[7p-S21-13] H-VPE法を用いた低コストIII-V族太陽電池の高均一成長

〇大島 隆治¹、牧田 紀久夫¹、生方 映徳²、菅谷 武芳¹ (1.産総研、2.大陽日酸)

キーワード：III-V族化合物半導体、太陽電池、ハイドライド気相成長法

我々は、高効率III-V族多接合太陽電池の製造コストの低減を目指してH-VPE装置の開発を行っている。H-VPE法における高速成長において基板面上に均質なセルを得ることを目的とした均一性の向上を検討した。その結果、開発当初は反応種の比重などの影響により2インチGaAs基板上に成長したGaAs薄膜の膜厚の面内均一性は30.1%と乏しかったが、原料ガスノズルの改良、基板回転を導入することによって均一性を2.5%に向上させた。