[7p-S22-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[7p-S22-14] GaN-HEMTスイッチング回路より発生する電磁界の周波数特性評価

〇古屋 克己¹、井手 利英¹、長南 紘志¹、鍛冶 良作¹、清水 三聡¹、森 雅彦¹ (1.産総研)

キーワード：GaN-HEMT、不要放射、スイッチング

GaNデバイスは「省エネルギー化」のキーとして期待されている。GaN-HEMT電圧変換器のスイッチング動作時に発生する不要放射を評価するため、以前の検討よりも高い耐圧のGaN-HEMT素子を用いたスイッチング回路を用意し、これを磁界プローブにより測定した。測定結果の回路入力電圧に対するピーク周波数は、以前と同様、回路の出力容量と回路上の電流経路のインダクタンスによる直列共振周波数に良く一致した。