[7p-S22-1~14] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[7p-S22-2] Effects of SiN cap annealing on contact characteristics on p-type GaN

〇Takashi Shimizu¹, Takuya Hoshii¹, Kuniyuki Kakushima¹, Hitoshi Wakabayashi¹, Hiroshi Iwai¹, Kazuo Tsutsui¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:p type GaN, SiN cap layer, ohmic contact

SiN保護膜とともに高温アニールするとp形GaNへのコンタクトが劣化する現象があり、これを用いたnチャネルデバイスでも問題である。本研究では、高温アニールしたSiN被覆p-GaN層に対し、XPS分析を行い、p-GaN層表面にSiNが残留しやすくなると同時に、SiN/p-GaN界面からSiが拡散している可能性が示唆された。SiN被覆アニールがp-GaN界面層及びコンタクト形成へ与える影響を議論する。