[7p-S22-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[7p-S22-2] p型GaNにおけるSiNキャップアニールのコンタクト特性への影響

〇清水 孝¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋¹、筒井 一生¹ (1.東工大)

キーワード：p型GaN、SiN保護膜、オーミックコンタクト

SiN保護膜とともに高温アニールするとp形GaNへのコンタクトが劣化する現象があり、これを用いたnチャネルデバイスでも問題である。本研究では、高温アニールしたSiN被覆p-GaN層に対し、XPS分析を行い、p-GaN層表面にSiNが残留しやすくなると同時に、SiN/p-GaN界面からSiが拡散している可能性が示唆された。SiN被覆アニールがp-GaN界面層及びコンタクト形成へ与える影響を議論する。