[7p-S22-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [7p-S22-3] Siイオン注入ソース領域をもつ縦型トレンチGaN-MOSFETのオーミック接触抵抗評価

〇高島 教史¹、笹田 将貴¹、Joel Asubar¹、徳田 博邦¹、葛原 正明¹ (1.福井大学)

キーワード：GaN、MOSFET、イオン注入

n+-GaNソース領域上にTi/Al/Ti/Auを用いて形成したn型オーミック接触と、p-GaNチャネル領域上にNi/Au(およびPd/Au)を用いて形成したp型オーミック接触についてそれぞれ接触抵抗率を評価した。p-GaNチャネル層に対し接触抵抗率9x10^-4 Wcm², イオン注入n-GaN表面層に対し接触抵抗率9x10^-6 Wcm²の良好なオーミック接触が得られることが確認された。