[7p-S22-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [7p-S22-4] Al₂O₃膜を用いたAlGaN/GaN MOS HEMTの電流制御性向上

〇西口 賢弥¹、金木 奨太¹、橋詰 保¹ (1.北大量集センター)

キーワード：窒化ガリウム、HEMT、MOS