[7p-S22-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [7p-S22-8] リセスMISゲートN極性GaN HEMTのしきい値電圧の制御

〇プラスラットスック キャッティウット¹、谷川 智之¹、木村 健司¹、窪谷 茂幸¹、末光 哲也²、松岡 隆志¹ (1.東北大金研、2.東北大CIES)

キーワード：窒素極性GaN、リセスMISゲート、高電子移動度トランジスタ