[7p-S22-1~14] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [7p-S22-7] Fabrication of recessed-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility-transistors (HEMTs) utilizing photo-electrochemical (PEC) reactions

〇Keisuke Uemura¹, Taketomo Sato¹, Tamotsu Hashizume¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:nitride semiconductor, electrochemistry, threshold voltage control

リセスゲート構造は、AlGaN/GaN-HEMTのノーマリオフ化に有望な構造の1つであるが、低損傷で制御性に優れた加工技術が要請される。この要請に対し、我々は、光電気化学(PEC: Photo-electrochemical)反応を利用したAlGaN層のエッチングを検討してきた。今回は、エッチング面のモホロジ評価と、試作したリセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの電気的特性評価を報告する。