[8a-A202-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[8a-A202-11] GaN-InN-ZnO 固溶体のバンドギャップ

〇穴澤 俊久¹、眞鍋 敏夫¹、天田 英之¹、熊坂 文明¹、淡路 直樹¹、今中 佳彦¹ (1.富士通研)

キーワード：GaN-InN-ZnO、固溶体、第一原理計算

GaN-ZnO固溶体に更にInNを固溶させたときのバンドギャップ変化を第一原理密度汎関数電子状態計算により調べた。その結果、GaN-InI-ZnO固溶体ではGaN-ZnO固溶体と同様に中間組成で特異的なバンドギャップ低減が見られたが、InN-ZnO固溶体では見られなかった。