[8a-A301-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[8a-A301-2] CL mapping of h-BN thin films grown on sapphire substrates

〇Naoki Umehara¹, Kawarazaki Takumi², Nakama Tomoyasu², Tetsuya Kouno², Hiroko Kominami², Kazuhiko Hara^1,3 (1.Shizuoka Univ. GSST, 2.Shizuoka Univ. GSIST, 3.Shizuoka Univ. RIE)

Keywords:hexagonal boron nitride, CVD, thin films

我々は、サファイア基板上へのh-BN薄膜の作製技術の確立に取り組んでおり、これまでにBCl₃とNH₃を原料とする化学気相法を用いたc面サファイア基板上への薄膜の作製を報告してきた。しかしながら、デバイス応用の観点からは、表面平坦性などの特性は不十分であり、更なる向上が求められる。本発表では、薄膜の高品質化に向けた成長条件探索の一環として、カソードルミネッセンス(CL)の面発光分析により、膜構造と発光特性の関係を調査した結果を報告する。