[8a-A411-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[8a-A411-1] SiO₂/Si界面層での水素原子有効電荷と水素分子振動ブルーシフト起源

〇加藤 弘一¹、福谷 克之¹ (1.東大生産研)

キーワード：水素、信頼性、劣化

半導体素子では、水素原子による絶縁膜の破壊が素子寿命を大きく左右することが知られ、水素分子も化学的に​関与している可能性が高く、シリコンと酸化膜の界面に蓄積し易い。水素分子振動はシリコン中でレッドシフトし、界面から酸化膜中でブルーシフトする。水素の有効電荷はボロノイ多面体では負にままでブルーシフトに対応しないが、ベリー位相を用いた正確なボルン電荷を求めると、限りなく正に近づくことが分かった。