[8a-A411-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[8a-A411-10] 紫外線励起研磨された4H-SiCの化学状態分析

〇滝沢 優¹、畑 彰宏¹、光原 圭¹、田中 武司¹ (1.立命館大)

キーワード：SiC、紫外線励起研磨、X線吸収分光

半導体デバイスの基板として注目されている4H-SiCの平坦化時間を通常の機械研磨よりも短縮する方法のひとつとして紫外線励起研磨という手法がある。平坦化時間が短くなる要因として、紫外線照射により表面が酸化され、その結果、表面が削られやすくなることが考えられる。そこで、紫外線励起研磨による表面の変化を理解するため、X線吸収分光法により紫外線励起研磨前後の化学状態分析を行った。