[8a-A411-1~10] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

△ [8a-A411-5] Study on abnormal line-type soft errors in thin-BOX SOI SRAMs investigated by pulsed laser
employing two-photon absorption process

〇HIROAKI ITSUJI^1,2, DAISUKE KOBAYASHI^1,2, OSAMU KAWASAKI³, DAISUKE MATSUURA⁴, TAKANORI NARITA⁴, MASAHIRO KATO⁴, SHIGERU ISHII⁴, KAZUNORI MASUKAWA⁴, KAZUYUKI HIROSE^1,2 (1.Univ. Tokyo, 2.ISAS/JAXA, 3.JAXA R&D, 4.MHI Ltd.)

Keywords:soft error, SOI, SRAM

最近我々のグループが行った重イオン照射試験では、薄膜BOXを有するSOI SRAMにバックバイアスを印加すると、印加しなかった時と比べ、ソフトエラー感応面積が約100倍になった。約100倍増加した時、線状のソフトエラー領域が観測された。本研究では、長い侵入長を実現でき、照射位置を固定できる国内初の二光子吸収型パルスレーザ照射システムを用いて、この異常なソフトエラーのメカニズムに迫る知見を得た。