[8a-C16-1~17] 17.2 グラフェン

[8a-C16-4] 炭酸ガスによる酸化雰囲気でのグラフェン成長

〇金子 智^1,4、安原 重雄²、佐藤 和郎³、安井 学¹、黒内 正仁¹、田中 聡美¹、加藤 千尋¹、松田 晃史⁴、吉本 護⁴ (1.神奈川産技術総研、2.JAC、3.大阪技術研、4.東工大)

キーワード：炭酸ガス、グラフェン、レーザー蒸着法

グラフェンは様々な応用が期待されているが、化学気相法による作製には金属触媒が必要であり、高い成膜温度も必要である。金属触媒上で成長するため、デバイス化には成膜後に膜の転写が不可欠になる。我々は炭酸ガス雰囲気でのパルスレーザー蒸着法(PLD)を用いた絶縁基板上へのグラフェンの直接成長を確認したので報告する。