The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

Presentation information

Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.2 Graphene

[8a-C16-1~17] 17.2 Graphene

Fri. Sep 8, 2017 9:00 AM - 1:30 PM C16 (Training Room 1)

Seiji Akita(Osaka Pref. Univ.), Hiroki Hibino(Kwansei Gakuin Univ.)

10:00 AM - 10:15 AM

[8a-C16-5] Growth of highly crystalline multilayer graphene by high temperature process

Ryouta Negishi1, Masato Maruoka1, Yoshihiro Kobayashi1 (1.Osaka Univ.)

Keywords:graphene, crystal growth

これまでグラフェンを成長核としたグラフェンの化学気相成長法により、乱層構造を有する多層グラフェンや多層グラフェンナノリボンの合成が可能であることを報告してきた。その一方で、成長温度は700℃程度と低く、形成したグラフェン層の結晶性は低かった。本研究では、高温プロセスによるグラフェン層の成長を検証した結果について報告する。