[8a-C18-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[8a-C18-3] InGaAs/GaAsSbダブルゲートTunnel FETにおける量子効果の影響

〇國貞 彰吾¹、福田 浩一^1,2、宮本 恭幸¹ (1.東工大工、2.産総研)

キーワード：半導体

量子効果を考慮したTFETのシミュレーション方法と得られた量子効果の影響について述べる．Schrödinger-Poissonの解析を行い，伝導帯，価電子帯の第一サブバンドエネルギーを求めた．このサブバンドエネルギーを実効的なバンドギャップの広がりとみなし，バンドパラメータに反映させて，デバイスシミュレーションを行った．