Characterization of Hysteresis on Super Steep SS PN-Body Tied FET

Shota Inoue; Ida Jiro; Mori Takayuki; Yoshida Takahiro

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[8a-C18-1~12] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

Fri. Sep 8, 2017 9:00 AM - 12:15 PM C18 (C18)

Tomonori Nishimura(Univ. of Tokyo), Takahiro Mori(AIST)

10:00 AM - 10:15 AM

[8a-C18-5] Characterization of Hysteresis on Super Steep SS PN-Body Tied FET

〇Shota Inoue¹, Ida Jiro¹, Mori Takayuki¹, Yoshida Takahiro¹ (1.Kanazawa Inst.)

Keywords:Characterization of Hysteresis, semiconductor

これまでに、我々はSOIをベースにしたFETに着目し理論下限を下回るSSを持つ新構造PN-Body Tied(PNBT)構造を報告した。今回は、スイッチングデバイスにとって非常に重要な問題であるヒステリシス特性に関して実測を行った。実測結果より、ヒステリシス窓が従来のFloating Body(FB)とBody Tied(BT)と新構造PNBTで最も小さくなる構造はPNBTであることを確認した。