[8a-PA1-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

[8a-PA1-17] SiCインクから作成したP型アモルファスSiC薄膜の光電子分光法による評価

〇村上 達也¹、増田 貴史¹、下田 達也¹ (1.北陸先端大)

キーワード：液体材料、アモルファスシリコンカーバイド

アモルファスシリコンカーバイド(a-SiC)は高い熱伝導性、化学安定性、そして大きな光学ギャップといった魅力的な特性を有している。近年、シクロペンタシラン (CPS) をシリコンソース、シクロヘキセン(CH) をカーボンソースとし、a-SiCの前駆体溶液（SiCインク）が報告された[1]。 CPSとCHの仕込み比率を変えることで光学ギャップ (E_opt) が制御できるものの、そのエネルギー準位に関する情報は分かっていなかった。そこで本研究では、X線、紫外線、電子線を用いた光電子分光測定を用い、電子構造を調べることを目的とした。