[8a-PA1-1~17] 6.2 Carbon-based thin films

[8a-PA1-3] Effect of soft-ICP etching proess on diamond semiconductor surface by ARXPS

〇(M2)Kohei Takizawa¹, Yukako Kato², Toshiaru Makino², Satoshi Yamasaki², Hiroshi Nohira¹ (1.Tokyo City Univ., 2.AIST)

Keywords:semiconductor, diamond

ダイヤモンドはSiC やGaN よりも高い絶縁破壊電界、高い熱伝導率を有するため、将来のパワーデバイス材料としても有望である。しかし、実用化を加速させるためには多くの解決すべき課題がある。その一つがエッチングプロセスである。今回、加藤らが前回の講演会で提示したp 型ダイヤモンド表面損傷軽減が期待できるsoft-ICP エッチング条件を用いて、縦型ショットキーバリアダイオードのp 型ダイヤモンド表面の損傷を評価したので報告する。