[8a-PA1-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

[8a-PA1-3] ARXPSによるsoft-ICP エッチングプロセスがダイヤモンド半導体表面に与える影響

〇(M2)滝沢 耕平¹、加藤 有香子²、牧野 俊晴²、山崎 聡²、野平 博司¹ (1.東京都市大院、2.産総研)

キーワード：半導体、ダイヤモンド

ダイヤモンドはSiC やGaN よりも高い絶縁破壊電界、高い熱伝導率を有するため、将来のパワーデバイス材料としても有望である。しかし、実用化を加速させるためには多くの解決すべき課題がある。その一つがエッチングプロセスである。今回、加藤らが前回の講演会で提示したp 型ダイヤモンド表面損傷軽減が期待できるsoft-ICP エッチング条件を用いて、縦型ショットキーバリアダイオードのp 型ダイヤモンド表面の損傷を評価したので報告する。