[8a-PA2-1~17] 6.4 Thin films and New materials

[8a-PA2-3] On recrystallization phenomenon of VO₂ films on Al₂O₃ (001) with rf substrate biasing in reactive sputtering

〇Kohei Matsuoka¹, Nurul Hanis Azhan², Kunio Okimura¹ (1.Tokai Univ., 2.Kuala Lumpur Univ.)

Keywords:Vanadium dioxide, Recrystallization

VO₂は68℃付近で絶縁体-金属相転移を生じ, それに伴って抵抗値が4~5 桁にわたって変化し, 且つ赤外光の透過率が大きく低下する. 反応性スパッタ法において基板バイアスを印加し, Al₂O₃ (001)上にVO₂薄膜を成膜した. その結果, ある特定の基板バイアス電力において再結晶化現象が生じた. 再結晶化した領域は結晶性が非常に優れている. 発表では再結晶化のメカニズムについて検討を行う.