[8a-PA4-1~31] Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"（Poster）

[8a-PA4-12] Effects of He plasma treatment on ZnO thin film transistor

〇Shotaro Shinya¹, Toyokazu Kaneko¹, Masatoshi Koyama¹, Toshihiko Maemoto¹, Shigehiko Sasa¹ (1.Osaka inst. of tech. NMRC)

Keywords:Zinc oxide, Thin Film Transistor, He plasma treatment

TFTの性能向上のためには, 接触抵抗を含めたアクセス抵抗の低減が不可欠である.抵抗を低減させる方法としてアルゴンや水素を用いたプラズマ処理があるが, 最近ヘリウム（He）を用いたプラズマ処理が有望な方法であることが報告されている.Heプラズマ処理はアルゴンや水素プラズマ処理に比べて安定した処理方法といわれているが低抵抗化の起源は解明できていない.我々は, Heプラズマ処理プロセスの低抵抗化の起源の解析を行うとともに, ZnO-TFT作製プロセスにHeプラズマ処理を導入したことでドレイン電流値・伝達コンダクタンスの増大が見られたので, それらの結果を報告する.